NEW 掲載期間24/11/21~24/12/04 求人No.PSNC-AMBI81121758

オプトデバイス・パワーデバイス結晶成長に関する業務【秋田市】

研究・開発(化学・素材・食品・衣料)

年収500万円~949万円
上場企業フレックス勤務
募集情報
なぜ募集しているのか
増員
どんな仕事か
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【パソナキャリア経由での入社実績あり】■業務内容:
MOCVD装置を用いた化合物半導体材料(GaAs InP AlN GaN関連材料)の結晶成長に関する研究開発業務をご担当いただきます。

【具体的な業務内容】
◇GaAs系 InP系赤外LED・PDの結晶成長に関する業務
◇デバイス特性向上に向けたMOCVDを用いたプロセス条件最適化/MOCVD装置設計の最適化

■働き方:残業時間は月平均20時間程度です。

■配属先について:
DOWAホールディングス株式会社での採用にてDOWAセミコンダクター秋田株式会社への在籍出向となります。

【DOWAセミコンダクター秋田株式会社について】
当社は1982年に同和鉱業株式会社の半導体材料研究所として創立され、秋田県秋田市飯島の地で化合物半導体材料の研究開発をスタートしました。
その後1993年に株式会社同和半導体を設立し化合物半導体材料の製造、販売を始め国内外の電気メーカーにお客様として化合物半導体製品を供給しています。2006年、株式会社同和半導体からDOWAセミコンダクター秋田株式会社へと社名を変更し、化合物半導体市場において事業を拡大して参りました。特にLED事業は血中酸素濃度計のセンサーから始まり、携帯電話の赤外線通信、スマートフォンやウェアラブル端末と呼ばれる様々なデバイス等に搭載され、時代の流れとともに用途を変えながら生活の利便性を支える技術により社会の発展に貢献してきました。これからも新たな技術、さらなる品質向上に挑戦し、モノづくりの原点である現場力の向上を図りながら、秋田から世界へより良い製品を提供していきます。
求められるスキルは
必須 【必須要件】※下記いずれかに当てはまる方
■パワーデバイス向けGaN系エピ基板開発もしくは製造におけるMOCVD技術経験
■オプトデバイス向けGaAs・InP・AlN・GaNおよびその関連材料のエピ成長開発もしくは製造におけるMOCVD技術経験
■GaAs・InP・AlN・GaNおよびその関連材料向けのMOCVD装置の装置開発・設計の技術経験
歓迎 応募資格をご覧下さい
雇用形態は
正社員
どんなポジション・役割か
オプトデバイス・パワーデバイス結晶成長に関する業務【秋田市】
どこで働くか
秋田県
勤務時間は
09:00~17:35
給与はどのくらい貰えるか
500万円~900万円
休日休暇は
【年間休日】123日
どんな選考プロセスか
面接回数2回
会社概要
社名
非公開
事業内容・
会社の特長
匿名求人のため、求人詳細につきましてはご面談時にお伝え致します。
設立
1937年
資本金
36,437百万円
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