- どんな仕事か
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■業務概要
テクノロジー開発信頼性グループの一員として、DRAMデバイス/プロセス開発チームおよび回路設計チームと協力していただきます。各セルトランジスタ、高性能CMOSおよび先進的なインターコネクトのホットキャリア、バイアステンパーインスタビリティ、エレクトロマイグレーションなどの信頼性性能の分析を担当します。また、信頼性モデルの構築およびデバイス開発チームと回路設計チームからのコンサルティングも担当します。信頼性はデバイスのスケーリングと画期的な技術開発の重要な柱の一つです。この業務は、半導体デバイス物理学、DRAMアーキテクチャ知識、およびDRAMプロセス統合知識に基づいています。技術開発段階での新しい信頼性の発見に関して、正しい方向性を示すことが求められます。
■業務詳細
・ウェーハレベルおよび回路レベルの信頼性行動と性能を評価するための試験方法を開発および実装する。
・結果を分析し、技術開発の指針となる意思決定可能な推奨事項を提供するレポートを作成する。
・プロセス統合および特性評価チームと協力して、プロセス変換およびパラメトリックテストデータと信頼性シグネチャを関連付ける。
・必要に応じて、他のデータソース(インラインメトロ、パラメータ、プローブ)およびPFA分析を統合して物理的理解と意思決定の質をモデル化する。
・プロセス統合チームおよび回路設計チームからの信頼性モデル構築およびコンサルティング。 - 求められるスキルは
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必須 ■必須条件:
・半導体デバイス物理学およびプロセス技術の理解
・DRAM、NAND、または新興メモリの基本的な知識
・統計データ分析の知識
・回路動作の基本的な知識
・半導体デバイスのパラメトリック測定スキルおよび電気特性評価に使用される半導体ラボ機器の操作経験(パラメータアナライザ、パルスジェネレータ、キャパシタンスメータ、ウェーハプローバー、その他のツール)
・半導体デバイスの業界または研究機関での2年以上の経験 - 雇用形態は
- 正社員
- どこで働くか
- 広島県
- 給与はどのくらい貰えるか
- 500~1500万円
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掲載期間25/03/21~25/04/03
求人No.MYN-10429074