掲載期間26/02/05～26/02/18 求人No.MYN-10563764

D3【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）

設計・開発エンジニア（その他、電気・電子・半導体）

年収450万円～1249万円

募集情報

どんな仕事か: 【業務内容】

弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。

株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。

川崎：デバイス開発とプロセスインテグレーション

姫路：エピタキシャルプロセス、プロセス開発

【募集背景】

東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。

これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。

カーボンニュートラルな未来、CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するSiパワー半導体。これに変わる化合物材料（SiC/GaN）デバイスの需要拡大が見込まれます。その中でGaNパワーデバイス事業の早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
求められるスキルは: 必須【必須経験】

・半導体デバイス開発またはプロセスインテグレーションの実務経験をお持ちの方（3年程度）

【歓迎（尚可）経験・スキル】

・GaNに関する知見
雇用形態は: 正社員
どこで働くか: 神奈川県
給与はどのくらい貰えるか: 450～1200万円

会社概要

社名: 東芝デバイス＆ストレージ株式会社

事業内容・ 会社の特長: ＜半導体事業部＞

主に、ディスクリート半導体とシステムデバイスの事業を行っています。

ディスクリート半導体は、ダイオードやトランジスターのような単機能の半導体素子のことで、省エネ社会を実現するキーデバイスです。同社のディスクリート半導体事業は、長年にわたる技術の蓄積があり、高性能・高信頼性な幅広い製品ラインアップを擁しています。パワーデバイス、小信号デバイス、フォトカプラーの３つの製品群を柱として、家電や通信機器といった民生分野から、自動車や鉄道、電力などの社会インフラに至るまで幅広い分野で活用されており、これからの省エネ社会実現に向けますます拡大が期待される事業です。

＜ストレージプロダクツ事業部＞

ストレージプロダクツ事業部では、幅広いラインアップのストレージ製品を開発・製造しています。注力事業のひとつであるデータセンター用の大容量ニアラインHDDをはじめ、企業サーバー、PC、監視カメラシステム、NAS、レコーダー、ゲーム、車載などに適したHDDを取り揃えています。さらに、HDDを応用したUSBハードディスクも提供しています。ストレージプロダクツ事業部は、幅広い市場で顧客満足度の高い製品を提供することを目指し、日々革新的な技術開発を行っています。

＜デバイス＆ストレージ研究開発センター＞

デバイス＆ストレージ研究開発センターは、東芝デバイス＆ストレージ株式会社の研究開発部門です。ADAS/自動運転などへの応用に向けたAIや画像処理技術、IoTを支えるセキュリティー技術、先端RF/アナログ回路技術、パッケージ/実装技術、半導体デバイスやプロセスに対するシミュレーション技術といった基盤的研究から、SoC (System on Chip)、ソフトウェア、組込みシステムのソリューション提案にいたるまで、階層化され多岐にわたるデバイス＆ス

取扱い紹介会社

株式会社マイナビ

厚生労働大臣許可番号：13-ユ-080554
紹介事業許可年：2007年

登録場所: 本社

〒1040061　東京都中央区銀座四丁目12番15号　歌舞伎座タワー　24F

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