NEW 掲載期間26/04/30~26/05/13 求人No.MYN-10624109

【京都市】次世代SiC・GaNパワーデバイスの品質保証エンジニア◆成長中ベンチャー

生産管理・品質管理・品質保証・工場長(機械・自動車)

年収700万円~1049万円
募集情報
どんな仕事か
化合物半導体(SiC/GaN)を用いたパワーデバイスにおける品質保証業務全般を担っていただきます。

車載・産業用途向け製品を中心に、評価・解析から顧客対応、品質改善活動まで幅広くご活躍いただくポジションです。



<具体的な業務内容>

・車載・産業用途向けSiC/GaNパワーデバイスの品質評価および信頼性試験

・製品不具合・異常発生時の原因解析および再発防止対応

・(FMEA、FTA、8D 等の手法を用いた分析・フィードバック)

・顧客監査対応および外部品質対応(PPAP、IATF規格に基づくドキュメント整備・折衝対応)

・工程データ・出荷品質データの監視および統計的分析

・関係部門と連携した、品質向上を目的とする改善プロジェクトの推進



※即戦力としてのご活躍を想定しています。

※ご志向や適性に応じて、将来的に開発工程を含む他ポジションへチャレンジいただくことも可能です。



■入社後のキャリア

品質保証領域の中核メンバーとして専門性を高めていただきながら、

ご希望に応じて設計・開発フェーズに近いポジションへ業務領域を拡張することもできます。

ベンチャー企業ならではの裁量ある環境で、キャリアの幅を広げられます。



■身に付くスキル



SiC/GaNパワーデバイスに関する品質評価・信頼性試験の実務ノウハウ

FMEA/FTA/8D等を用いた不具合解析・是正対応スキル

PPAP・IATF対応を含む顧客監査・外部品質対応力

品質データの統計的分析スキル

社内横断型プロジェクトを通じた品質改善推進力・調整力





■本ポジションの魅力・やりがい

成長フェーズにあるベンチャー企業において、

これまでのご経験を活かしながら品質保証の中核を担う即戦力ポジションとして活躍できます。

製品品質の向上や顧客対応を通じて、

企業の信頼性・競争力向上に直接貢献できる点は大きなやりがいです。

また、少数精鋭ならではのスピード感と裁量のある環境で、

品質保証分野のスペシャリストとして更なる成長を目指せます。

求められるスキルは
必須 【必須要件】

◎半導体製品の品質保証・品質管理経験(3年以上)

◎信頼性試験規格(AEC-Q101、JEITA、JEDECなど)の理解

◎語学:英語および中国語でコミュニケーションの取れる方



<以下スキルお持ちの方は歓迎いたします>

・顧客対応(車載OEM/Tier1等)の実務経験

・ISO9001, IATF16949等の認証対応経験

・品質管理手法(QC7つ道具、統計解析など)のスキル

★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能!刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。
雇用形態は
正社員
どこで働くか
京都府
給与はどのくらい貰えるか
700~1000万円
会社概要
社名
Anjet Research Lab株式会社
事業内容・
会社の特長
Si(シリコン)、SiC(シリコンカーバイド)、GaN(窒化ガリウム)といった材料を用いた、次世代パワー半導体デバイスの設計・研究開発を行うファブレス半導体企業です。

地球温暖化対策やCO2排出削減、省エネルギー化が世界的な課題となる中、電気エネルギーの変換効率を飛躍的に高めるパワー半導体の開発を推進。自動車、鉄道、スマートグリッドなど多様な分野におけるエネルギーの高度利用を実現し、グリーンテクノロジー領域のパラダイムシフトに貢献することをミッションとしています。

同社の特長は、単なるデバイス設計にとどまらず、日本・台湾・アメリカなど世界各国のファウンドリーメーカーやデザインエンジニアと密に連携し、アプリケーションに最適化されたパワーデバイス(Si、SiC、GaN)の開発を行っている点です。大手半導体メーカー出身で20~30年の実務経験を有するエンジニアがチームを構成し、デバイスおよびモジュールの先端研究から試作、量産・市場投入までを一貫して手がけています。

製品例としては、「SiC SBD(650V~1700V/4A~60A)」「SiC DMOS(650V~1700V/800mΩ~10mΩ)」などがあり、高度なジャンクションバリア構造、セルフアライン構造、薄ウエハ技術といったキーテクノロジーを活用し、低損失・高信頼性・高いコストパフォーマンスを実現しています。

また、大学などの研究機関や企業との共同研究にも積極的に取り組み、先端パワーデバイス分野におけるリーディングカンパニーを目指しています。従来の垂直統合型の日本型半導体メーカーとは異なり、プロセスインテグレーションも含めた水平分業モデルを基盤とした事業展開を行っています。

さらに2022年以降はGaNパワーデバイスの開発にも注力し、Wide Band Gap(広帯域ギャップ)材料を活用した製品ライン
取扱い紹介会社
株式会社マイナビ
厚生労働大臣許可番号:13-ユ-080554
紹介事業許可年:2007年
登録場所
本社
〒1040061 東京都中央区銀座四丁目12番15号 歌舞伎座タワー 24F
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