募集情報

どんな仕事か: 化合物半導体（SiC／GaN）を用いたパワーデバイスの設計・開発を担っていただきます。

デバイス構造の検討からシミュレーション、試作評価、量産移管まで、開発プロセス全体に携われるポジションです。

＜具体的な業務内容＞

・SiC／GaNパワーデバイス（MOSFET、SBD 等）の構造設計およびデバイスシミュレーション

・TCADを用いた特性解析・パフォーマンス最適化

・試作品の作製および電気的・熱的特性評価

・顧客要求や用途条件の整理・分析、製品仕様の検討

・量産立ち上げに向けたプロセス部門・外部パートナーとの技術連携、最適化検討

※ご経験やご志向に応じて、将来的には開発工程内の他領域へ業務範囲を広げていただくことも可能です。

■入社後のキャリア

設計・評価・プロセス連携など、パワーデバイス開発における複数フェーズを経験しながら、

専門性を深めるキャリア、または開発全体を俯瞰できるエンジニアとしての成長を目指せる環境です。

ご本人の志向に応じて、担当領域の変更・拡張にも柔軟に対応します。

■身に付くスキル

SiC／GaNパワーデバイスの構造設計・デバイスシミュレーション技術

TCADを用いた特性解析および最適化スキル

試作から評価（電気的／熱的）までの実践的なデバイス開発経験

顧客要求を踏まえた製品仕様設計・技術要件定義力

量産移管におけるプロセス部門・外部ファウンドリーとの技術折衝力

■本ポジションの魅力・やりがい

成長フェーズにある企業において、次世代パワーデバイスを主軸とした開発に主体的に携われる点が大きな魅力です。

設計者として「物理・特性・仕様」に真正面から向き合いながら、裁量を持って技術検討を進めることができます。

◎特定の工場に縛られないファブレス開発体制により、最適な技術選択が可能

◎SiC／GaNデバイス開発を事業の中核として位置付け、腰を据えて取り組める環境

◎パワー半導体業界で豊富な経験を持つエンジニアが多数在籍し、密度の高い技術議論ができる

◎海外拠点やファウンドリーとの連携を通じ、グローバルな開発経験が積める

刺激を受けながら新しい技術に挑戦でき、エンジニアとしての市場価値を高めていけるポジションで
求められるスキルは: 必須【必須要件】

◎SiC、GaN、またはシリコンパワーデバイスの開発経験（3年以上）

◎TCAD（Synopsys， Silvaco等）経験者

◎半導体デバイス物性・電気特性の知識

★本部は台湾にあり、取引先の工場も海外にあるため、英語を主とした外国語でのやり取りが発生します。英語を話せる社員が多いため、フォローは可能なので、入社後に英語を勉強していただければ問題なし！

★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。

★国内外各地からメンバーが集まっております！
雇用形態は: 正社員
どこで働くか: 京都府
給与はどのくらい貰えるか: 500～700万円

会社概要

社名: Anjet Research Lab株式会社

事業内容・ 会社の特長: Si（シリコン）、SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム）といった材料を用いた、次世代パワー半導体デバイスの設計・研究開発を行うファブレス半導体企業です。

地球温暖化対策やCO2排出削減、省エネルギー化が世界的な課題となる中、電気エネルギーの変換効率を飛躍的に高めるパワー半導体の開発を推進。自動車、鉄道、スマートグリッドなど多様な分野におけるエネルギーの高度利用を実現し、グリーンテクノロジー領域のパラダイムシフトに貢献することをミッションとしています。

同社の特長は、単なるデバイス設計にとどまらず、日本・台湾・アメリカなど世界各国のファウンドリーメーカーやデザインエンジニアと密に連携し、アプリケーションに最適化されたパワーデバイス（Si、SiC、GaN）の開発を行っている点です。大手半導体メーカー出身で20～30年の実務経験を有するエンジニアがチームを構成し、デバイスおよびモジュールの先端研究から試作、量産・市場投入までを一貫して手がけています。

製品例としては、「SiC SBD（650V～1700V／4A～60A）」「SiC DMOS（650V～1700V／800mΩ～10mΩ）」などがあり、高度なジャンクションバリア構造、セルフアライン構造、薄ウエハ技術といったキーテクノロジーを活用し、低損失・高信頼性・高いコストパフォーマンスを実現しています。

また、大学などの研究機関や企業との共同研究にも積極的に取り組み、先端パワーデバイス分野におけるリーディングカンパニーを目指しています。従来の垂直統合型の日本型半導体メーカーとは異なり、プロセスインテグレーションも含めた水平分業モデルを基盤とした事業展開を行っています。

さらに2022年以降はGaNパワーデバイスの開発にも注力し、Wide Band Gap（広帯域ギャップ）材料を活用した製品ライン

取扱い紹介会社

株式会社マイナビ

厚生労働大臣許可番号：13-ユ-080554
紹介事業許可年：2007年

登録場所: 本社

〒1040061　東京都中央区銀座四丁目12番15号　歌舞伎座タワー　24F

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【京都市】SiC/GaNパワーデバイス設計開発◆成長中ベンチャー/ポテンシャル採用

設計・開発エンジニア（その他、電気・電子・半導体）