- どんな仕事か
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■業務内容
半導体の材料・構造分析を行う同社にて、分析エンジニア職として、電子顕微鏡(FIB)を使用した半導体や電子材料の解析業務や顧客との打ち合わせ、立ち合い観察などの業務をお任せいたします。
半導体を利用する大手国内企業などに、受託分析設備を貸出し、立ち合い観察をしながら分析を行います。
■職務の特徴
◎FIB(Focused Ion Beam:集束イオンビーム)はイオン源としてガリウム(Ga)を使用し、金属や酸化物のスパッタリング、成膜、エッチングによるリソグラフィーを行うことができます。
◎FIBに用いられる金属イオン源(Ga)の蒸気圧は6.98×10-38Torrと低く、超高真空を含む様々な真空環境で用いられています。FIBではこのイオン源に強力な電場を加えて溶融させ、その形状をテイラーコーン形状に変化させます。その頂点はGaイオンビームを放出するのに十分な鋭さとなります。エネルギー分散が4.5eV、輝度が106A/cm2srのビームは、10nm以下の領域に集光することができます。
◎FIBシステムは、液体イオン源、集光レンズ、走査レンズ、移動ステージ、ガス導入システム(GIS)、信号検出器から構成されています。金属や酸化物のイオンスパッタリング、成膜、エッチングによるリソグラフィーが可能であり、MEMSにも最適なツールです。 - 求められるスキルは
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必須 ~職種未経験・業界未経験歓迎/第二新卒歓迎~
■必須条件:
・理系の学部学科をご卒業されている方
■歓迎要件:
・半導体プロセスおよび半導体故障解析に関する経験をお持ちの方
・Delayer、SEM、FIB、Nanoprobeに関する実務経験をお持ちの方
・中国語が出来る方
<語学力>
必要条件:英語初級 - 雇用形態は
- 正社員
- どこで働くか
- 愛知県
- 給与はどのくらい貰えるか
- 400~800万円
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掲載期間26/06/25~26/07/08
求人No.MYN-10664777





