どんな仕事か: 電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT、SiC-MOSFET、GaNーHEMT）の企画/設計/プロセス開発業務に携わっていただきます。
■製品企画／仕様検討
・技術ニーズ調査
・技術動向調査
・目標プロセス仕様調整および量産加工コスト目標決定

■プロセス開発/プロセスインテグレーション
・プロセスシミュレーション
・プロセスフロー検討およびプロセス条件出し
・新規プロセス探索、新加工設備の検討、設備導入
・素子試作評価、分析解析、良品率改善
・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック
求められるスキルは: 必須半導体素子プロセス、設備の開発経験または知識をお持ちの方目安：3年以上）
※パワー半導体の経験有無は問いません。

歓迎・パワー半導体に関する知識をお持ちの方　
・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験
雇用形態は: Full Time / 正社員
どんなポジション・役割か: 次世代パワー半導体素子のプロセス開発
どこで働くか: 愛知県,三重県
勤務時間は: フレックスタイム制/標準労働時間8h
コアタイム10時10分から14時25分（東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分）
給与はどのくらい貰えるか: 550万円～1449万円
待遇・福利厚生は: Employment Insurance / 雇用保険,Industrial Accident Compensation Insurance / 労災保険,Employees' Pension Insurance / 厚生年金保険,Employees' Health Insurance / 健康保険
休日休暇は: 週休2日制（土曜日・日曜日）
GW・夏季・年末年始各10日程
年間休日121日
年次有給休暇、やすらぎ休暇、リフレッシュ休暇、子の看護休暇、介護休暇、ボランティア休暇など

次世代パワー半導体素子のプロセス開発

生産技術・製造技術・エンジニアリング（電気・電子）