- なぜ募集しているのか
- コンサルタントより詳細をご説明させていただきます。
- どんな仕事か
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これまでのご経験を生かして活躍しませんか。【業務】パワーデバイス材料研究、デバイス開発
エンジニアの転職はメイテックネクストへご相談ください
【詳細】
・SiCウェハガス成長法の研究開発
・SiCエピタキシャル成長の研究開発
・横型GaN-HEMTのデバイス開発
・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発
・α酸化ガリウム半導体研究開発
・β酸化ガリウム半導体研究開発
・ダイヤモンド半導体研究開発
【募集背景】
パワエレ第2開発部では、車両の電動化のためのキーデバイスであるSiCパワーデバイスのウェハインゴット製造、エピタキシャル成長技術の内製化に向けた研究開発を行っております。第一原理計算や機械学習を駆使した装置・レシピ開発で、世界でも随一の高速かつ高品質な結晶成長を目指しております。また、ポストSiCデバイスとして、GaNや酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体など次世代のパワーデバイスの研究開発を大学や企業と連携して行っております。
【ミライズテクノロジーズ】
■ミライズテクノロジーズ：「MIRISE Technologies」とは、“Mobility Innovative Research Institute for SEmiconductor Technologies”の頭文字です。世界のモビリティに革新を与える半導体開発を行い、未来をもっと進化・向上させていきたいという使命・熱い想いを込めました。また、“MIRAI(未来)”と“RISE(上昇)”を組み合わせた意味も含めています。トヨタの持つモビリティ視点、ならびにデンソーが培ってきた車載視点での知見を掛け合わせることで、クルマ軸と部品軸の両輪で、電動車両や自動運転車両の技術革新の鍵となる次世代の車載半導体を、より早期に開発していきます。 - 求められるスキルは
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必須 【必須要件】
■半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル）
■半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験を有すること
【注意事項】
当該求人募集は、出向先企業と協力をして実施しておりますので、採用活動実施のために下記提供先に個人情報を提供させていただくことに同意の上、ご応募ください。歓迎 応募資格をご覧ください。 - 雇用形態は
- 正社員
- どこで働くか
- 愛知県
- 勤務時間は
- 08:40～17:40
- 給与はどのくらい貰えるか
-
500万円～1200万円
■年収についての補足
※上記年収レンジは目安です。前職の給与・スキル・経験・等を考慮の上、当社規定で決定致します。【モデル年収例（時間外０時間）】・年収800円／35歳 ・年収1150万円／45歳 - 待遇・福利厚生は
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■諸手当
◎通勤手当 ◎家族手当 ◎残業手当 ◎役職手当 ◎資格手当 ■その他…海外トレーニー制度/海外大学院留学制度/育成ローテーション制度/社内公募制度/FAローテーション制度/階層別教育/スキルアップ研修/ハイタレント研修/キャリアデザイン制度/よりそいトーク
■各種保険
■健康保険 ■厚生年金 ■雇用保険 ■労災保険 - 休日休暇は
- ◎完全週休2日制（土曜・日曜） ◎GW・夏期・年末年始 ◎有給休暇（最高20日/1年） ◎特別休暇 ◎慶弔休暇 ◎産前・産後休暇 ◎子の看護休暇（子1人：年5日 子2人以上：年10日） ◎介護休暇 ◎介護休職 ※事業所内託児施設（刈谷、幸田、大安エリア）
- どんな選考プロセスか
- ■面接回数2■試験内容※カジュアル面談相談可 ▼Web試験 ▼1次面接：人事担当 + 部門担当 ▼2次面接：役員面接 ※Web面接完結（1回から2回）
掲載期間24/06/10～24/06/23
求人No.MNXT-229527
