NEW 掲載期間24/06/27~24/07/10 求人No.MNXT-230594

【朝霞】MOSFET/ウエーハプロセス及びデバイスの設計・開発

設計・開発エンジニア(電子回路)

年収500万円~999万円
上場企業
募集情報
なぜ募集しているのか
コンサルタントより詳細をご説明させていただきます。
どんな仕事か
これまでのご経験を生かして活躍しませんか。
エンジニアの転職はメイテックネクストへご相談ください
■MOSFET/ウエーハプロセス及びデバイスの設計・開発をお任せします

Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務
(プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価)

求められるスキルは
必須 【必須】
・Si系パワーMOSFET、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務の5年以上のご経験
・担当テーマに対し情熱を持って取り組むことができる人
【歓迎】
・パワー半導体に関する知識
・デバイスシミュレータのスキル
・プロセスシミュレータのスキル
・TEG(マスク)設計CADのスキル
・静特性測定、動特性測定のスキル
・半導体デバイスに関する特許取得経験
歓迎 応募資格をご覧ください。
雇用形態は
正社員
どこで働くか
埼玉県
勤務時間は
08:20~16:55
給与はどのくらい貰えるか
500万円~1000万円
■年収についての補足
職務内容・経験・現在の給与を十分に考慮した上で決定します。昇給年1回。賞与年2回。
待遇・福利厚生は
■諸手当
通勤手当 借上げ社宅 家族手当 残業手当 社内財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、介護休業制度、保養所、診療所など
■各種保険
健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険
休日休暇は
年末年始 夏期休暇 有給休暇 完全週休2日制 年次有給休暇(半日利用可能)、育児休暇、妊娠通院休暇等
どんな選考プロセスか
■面接回数2■試験内容WEB面接完結(2回)
会社概要
社名
新電元工業株式会社
事業内容・
会社の特長
【デバイス事業】一般整流ダイオード、ブリッジダイオード、高速整流ダイオード、トランジスタ、MOSFET、IGBTなど 
【エネルギーシステム事業】 EV充電器 電源製品(通信局用整流器、移動体基地局用整流器、通信用インバータ、電力集中監視システム)等
【電装事業】電装製品(二輪車用レギュレータ/レクティファイア、四輪車用DC/DCコンバータユニット等)
■事業所:朝霞事業所、大阪支店、名古屋支店、浜松営業所、宇都宮出張所
設立
1949年8月
資本金
178億2300万円
売上高
929億6500万円
従業員数
5215人
取扱い紹介会社
株式会社メイテックネクスト
厚生労働大臣許可番号:13-ユ-301658
紹介事業許可年:2006年
登録場所
東京本社
〒110-0005 東京都台東区上野1-1-10 オリックス上野1丁目ビル
名古屋支社
〒450-0003 愛知県名古屋市中村区名駅南1-24-30 名古屋三井ビル 本館 16階
関西支社
〒530-0051 大阪府大阪市北区太融寺町5-13 東梅田パークビル8階
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