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■パワー半導体の研究開発
・AlN基板上のエピタキシャル成長技術の開発
・エピ成長した薄膜の解析
・Simulation等によるエピ構造やデバイス構造の工夫や改善提案
・富士の開発メンバーへの情報共有化、生産技術適用に向けた検討
【募集背景】
旭化成グループではAlN基板を用いた新規デバイスの開発を行っています。これまでに世界初のUV-Cレーザーダイオードの室温連続発振や縦型p-nダイオードなどの成果を実現しており、今後さらに開発を加速するため、開発の要となるエピタキシャル薄膜成長を担うことができる仲間を募集いたします。
【仕事の魅力・やりがい】
・名古屋大学の世界トップクラスの研究者に囲まれた環境で自身の能力を研鑽できます。
・旭化成グループ内の事業部組織と連携することで、自身の研究成果を社会実装へと導く道のりを当事者として経験できます。
【キャリアパスイメージ】
▼1～3年後
AlN基板を用いたパワー半導体の研究成果について対外発表を行い、この分野における第一人者としてご活躍いただきたいと考えています。
また、旭化成グループ内の研究開発テーマの方向性についてアイデアの創出や提案を行い、業務を推進いただけることを期待しています。
▼3～5年後
研究だけにとどまらず、その成果を社会実装するためのロードマップを提示し、旭化成グループにおけるパワー半導体研究開発を引っ張っていくリーダーとしてのご活躍を期待しています。
【参考URL】
https://www.nagoya-u.ac.jp/researchinfo/result/2023/12/aln-pn-aln.html
【求める人物像】
・自分自身で仮説を立て、それを検証するための手段を積極的に立案し、自ら推進できる方。
・協調性があり、関係部署メンバーとコミュニケーションしながら、周囲を巻き込んで業務遂行できる方。
・困難があっても、前向きに粘り強く課題に挑戦していける方。 - 求められるスキルは
-
必須 【必須要件】
■MOCVDまたはMBEを用いた化合物半導体薄膜成長技術の経験（3年以上）
【歓迎要件】
■窒化物半導体薄膜成長または化合物半導体デバイスプロセスの経験
■現場作業安全に関連する資格（危険物取扱者、特化則、有機則など）歓迎 応募資格をご覧下さい - 雇用形態は
- 正社員
- どんなポジション・役割か
- AlN基板を用いた半導体向けIII族窒化物半導体薄膜の研究
- どこで働くか
- 愛知県名古屋市
- 勤務時間は
- 08:30～17:15
- 給与はどのくらい貰えるか
- 600万円～900万円
- 休日休暇は
- 週休二日（土日）
祝日、年末年始、年次有給休暇、特別休暇（忌引や結婚等）、家族看護休暇
【年間休日】121日 - どんな選考プロセスか
- 面接回数3回
掲載期間24/07/17～24/07/30
求人No.PSN-AMBI81076266
