- どんな仕事か
-
●職務内容
SiCデバイス(MOSFET/Diode)技術に関する研究開発を担っていただきます。評価や解析を中心に担当し、パワーデバイス製作所(伊丹/福岡/熊本)への報告も実施していただきます。
●具体的には
具体的な職務は以下になります。
・SiC結晶品質向上(基板評価およびエピタキシャル成長技術の開発)
・SiC-MOSFETの信頼性検証
・パワーモジュールの耐環境信頼性検証
いずれも単独ではなくチームでの職務となります。弊課だけではなく、デバイス構造を担当する課やモジュールを担当する課と連携して職務にあたっていただきます。
勤務地は先端技術総合研究所(尼崎市)が主になります。出社勤務と在宅勤務のハイブリッドが可能です。
パワーデバイス製作所(伊丹市/福岡市/熊本県合志市)への報告や折衝も担当していただきます。
開発技術の社外発表(国際学会)もお願いする場合があります。
技術紹介(SiC)
https://www.mitsubishielectric.co.jp/corporate/randd/list/device/a24/index.html
投資に関する広報発表
https://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2023/0314-b.html
https://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2023/0728.pdf
パワーデバイス製品HP
https://www.mitsubishielectric.co.jp/semiconductors/index.html
●業務の魅力
研究や技術開発が主の業務となりますが、パワーデバイス製作所をはじめとした製品を扱う事業所とも深く関わりながら業務を遂行します。数年かけて開発した技術を世界に向けて発表することや、製作所と協力しながら製品化への課題を解決していくことは大きなやりがいを感じていただけると思います。
また、当社はパワーデバイス(パワー半導体)からパワーモジュール、パワーエレクトロニクス機器までを一貫して開発・製造することができる世界でも数少ない企業の一つです。
自社で幅広い完成品を持っていますので、自分の技術が - 求められるスキルは
-
必須 ●必須
・半導体に関する基礎的な知識(理論、電気特性など)をお持ちの方。
●歓迎
下記に関する知識、経験をお持ちの方
・半導体デバイスの信頼性検証技術
・結晶欠陥評価技術およびエピタキシャル成長技術
・半導体デバイス設計技術およびプロセス技術
・パワーエレクトロニクス機器の設計技術
●求める人物像
・活気があり、周囲と協調しながら職務を遂行できる方
・課題の本質を捉える洞察力があり解決策の提案ができる方
・主体的に活動できる方
●職場環境
出張：有 (年に数回程度/個人による)
転勤可能性：有 (個人の適性による)
（※個人によりますため、詳細は面談の中で適宜ご説明差し上げます。）
中途社員の割合：約10% - 雇用形態は
- 正社員
- どこで働くか
- 兵庫県
- 給与はどのくらい貰えるか
- 400～1000万円
掲載期間24/10/25～24/11/14
求人No.MYN-10292065
