どんな仕事か: 多国籍テクノロジー企業のパワーデバイス設計ポジションです。
SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発をリードし、最先端かつ高性能で競争力のあるソリューションに注力していただきます。
・SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発を行う。
・最先端、高性能、高信頼性のパワーデバイスの研究開発をリードする。
・最新のパワー半導体関連技術を研究し、開発アイデアを提案する。
・開発ツールの導入を積極的に推進する。
求められるスキルは: 必須・半導体関連技術における20年以上の実務経験
・SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発経験10年以上
・半導体デバイスの構造、動作原理、電気特性を深く理解
・プロセスインテグレーションに関する知識
・パワーデバイスの信頼性評価技術の経験
・EDA（電子設計自動化）ソフトウェアツールの知識とパワーデバイス設計の経験
・最新のパワー半導体技術に関する知識
・学術界、産業界に幅広いネットワークを有していること
・パワー半導体市場全体の動向に関する情報収集能力
・問題解決能力とコミュニケーション能力を有し、チームワークを重視する姿勢のある方
・海外出張が可能な方
・英語：日常会話レベル（読み書き：ビジネスレベル）

募集年齢（年齢制限理由）下限なし～ 50歳（長期勤続によりキャリア形成を図るため）
雇用形態は: Full Time / 正社員
どんなポジション・役割か: パワーデバイス設計エキスパート（SiC/IGBT）
どこで働くか: 神奈川県,大阪府
勤務時間は: 標準時間：9:00～18:00
休憩時間：60分
給与はどのくらい貰えるか: 1600万円～ 2000万円
待遇・福利厚生は: ・社会保険各種（雇用保険・労災保険・厚生年金保険・健康保険）
・産休・育児休暇制度、介護休暇制度、健保組合の福利厚生施設が利用可能。語学研修、語学研修補助金、文化体験
・通勤手当
など
休日休暇は: ・完全週休2日制（土・日）
・祝日、年末年始
・年間休日：125日

パワーデバイス設計（SiC/IGBT）◆◆大手外資系テクノロジー企業◆◆年収1600万以上◆◆

設計・開発エンジニア（半導体）