- なぜ募集しているのか
- 事業拡大による増員
- どんな仕事か
-
高い製品力と技術力を持つ、日本を代表する半導体メーカー【職務概要】
SiCパワーデバイス開発エンジニアとして業務を担当いただきます。
福岡の子会社に駐在していただく予定です。
【職務詳細】
■SiCパワーデバイス開発・設計
■SiCパワーデバイスプロセス開発
SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、
従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が
可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。
【世界をリードするSiCパワーデバイス】
2009年に欧州のSiC単結晶ウエハメーカーを同社グループの一員に迎え、
ウエハ／金型／リードフレーム／パッケージ製造まで全てのプロセスを
グループ内で独自に開発することができる体制を確立しました。
2025年までにSiCの生産能力を2017年の16倍まで拡大し、
市場シェアも業界トップクラスを目指し、
グループ生産拠点も2020年に新棟を竣工予定です。
【業務内容変更の範囲】
同社業務全般 - 求められるスキルは
-
必須 【必須】
■いずれかの経験がある方
・半導体前工程のデバイスインテグレーション経験
・半導体前工程の工程欠陥改善経験
【このような方におすすめです】
同社の原動力は「チャレンジ精神」です！
今後の更なる飛躍を目指し、
志が高い方、情熱を持った方にはおすすめの企業です。歓迎 ※活かせる経験については上記「応募資格」欄に併記しております - 雇用形態は
- 雇用形態：正社員
契約期間：無期
試用期間：有(3ヶ月) - どこで働くか
- 〒834-0111 福岡県八女郡広川町日吉1164-2
広川ICより車で約5分
JR鹿児島本線「西牟田」駅より車で約15分
勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 - 勤務時間は
- 8：15～17：15
- 給与はどのくらい貰えるか
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年収:500万～850万程度
月給制：月額224000円
給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇
賞与:年2回（6月・12月、年間平均4ヶ月）
昇給:あり - 待遇・福利厚生は
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通勤手当（上限4万円）、退職金制度、住宅制度（結婚都合補助、入社都合補助、持家援助金制度、転勤都合補助など）、社内厚生施設（社員食堂、カフェテリア、フィットネスルームなど）
喫煙情報：敷地内禁煙 - 休日休暇は
- 週休2日制（土日）、祝日、夏季休暇、年末年始休暇、有給休暇（最大20日）
- どんな選考プロセスか
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書類選考⇒1次面接＋筆記試験⇒最終面接⇒内定
※状況により変更になる場合あり
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掲載期間24/12/03～24/12/16
求人No.WPT-402533197
