- どんな仕事か
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電力半導体市場でTOPシェアを持ち、先進技術を提供する企業でのプロセスエンジニアポジションです。■Si系パワーMOSFET、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務
デバイス、回路、実装技術を併せ持つ強みを活かし、お客様とも共同で開発テーマに取り組んでいただきます。
・プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価など - 求められるスキルは
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必須 ・半導体プロセス開発/デバイス開発のご経験
歓迎 ・Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務、又は製品開発業務の実務経験
・デバイスシミュレータのスキル
・プロセスシミュレータのスキル
・TEG(マスク)設計CADのスキル
・静特性測定、動特性測定のスキル
・半導体デバイスに関する特許取得募集年齢(年齢制限理由) 下限なし ~ 50歳 (長期勤続によりキャリア形成を図るため) - 雇用形態は
- Full Time / 正社員
- どんなポジション・役割か
- MOSFET プロセスエンジニア
- どこで働くか
- 埼玉県
※在宅勤務可 - 勤務時間は
- ※フレックスタイム制
コアタイム:10:30~14:30
フレキシブルタイム:5:00~10:30、14:30~22:00 - 給与はどのくらい貰えるか
- 600万円 ~ 1000万円
- 待遇・福利厚生は
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・社会保険各種(雇用保険・労災保険・厚生年金保険・健康保険)
など - 休日休暇は
- ・完全週休2日制(休日は土日祝日)
・年間有給休暇16日~24日(下限日数は、入社直後の付与日数となります)
・年間休日日数129日
※メーデー、GW、夏季休暇、年末年始休暇(6日)、慶弔休暇、創立記念日、有給休暇(6月に1年分付与)、妊娠通院休暇、リフレッシュ休暇、看護休暇 等
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掲載期間24/12/04~24/12/17
求人No.TC-24177