- どんな仕事か
-
■パワーデバイス材料研究、デバイス開発をご担当いただきます。
【具体的には】
・SiCウェハガス成長法の研究開発
・SiCエピタキシャル成長の研究開発
・横型GaN-HEMTのデバイス開発
・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発
・α酸化ガリウム半導体研究開発
・β酸化ガリウム半導体研究開発
・ダイヤモンド半導体研究開発
※同社の社員として株式会社ミライズ テクノロジーズに出向いただきます。 - 求められるスキルは
-
必須 以下、全てのご経験をお持ちの方
・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること(大学卒業レベル)
・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験(3年以上)を有すること - 雇用形態は
- 正社員
- どこで働くか
- 愛知県
- 勤務時間は
- 08:40 - 17:40(コアタイム:10:10 - 15:25)
- 給与はどのくらい貰えるか
-
550万円~1600万円(経験能力考慮の上優遇)
モデル年収 35歳 800万円
昇給1回、賞与2回 - 待遇・福利厚生は
-
【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
家族手当、役職手当、資格手当、時間外勤務手当、通勤交通費など - 休日休暇は
- 年間121日/(内訳)完全週休2日制(土日)、GW、夏季・年末年始休暇(各10日程度の連続休暇)、有給休暇(最高20日/1年)、特別休暇
掲載期間25/11/27~25/12/17
求人No.QIK-365609





