- どんな仕事か
-
■同社にて、パワー半導体<GaN>におけるプロセス開発の下記業務を担当していただきます。
【具体的には】
■パワーGaNトランジスタ用エピタキシャルウェハの結晶成長技術開発
・MOCVD法を用いたGaN系薄膜成長技術開発
・量産化技術開発
■パワーGaNトランジスタのウエハプロセス開発
・化合物半導体(GaN系)のプロセス要素技術開発(成膜、エッチング、不純物拡散、電極形成など)
・パワーGaNトランジスタの製造プロセス開発(電極構造の形成、共振器構造の形成など)
・パワーGaNトランジスタのデバイス特性評価 - 求められるスキルは
-
必須 ■パワー半導体製品のプロセス開発業務経験
- 雇用形態は
- 正社員
- どこで働くか
- 富山県
- 勤務時間は
- 08:30 - 17:00(コアタイム:00:00 - 00:00)
- 給与はどのくらい貰えるか
-
550万円~1150万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回 - 待遇・福利厚生は
-
【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、超勤手当、育英給付金など
【待遇・福利厚生】
社宅、財形貯蓄、保養所、医療施設、企業年金制度など - 休日休暇は
- 年間127日/(内訳)完全週休2日制(土日)、祝日、夏季休暇(一斉年休含む)、年末年始、有給休暇、慶事休暇、長期節目休暇、ファミリーサポート休暇、キャリア開発休暇など
NEW
掲載期間26/04/09~26/05/06
求人No.QIQ-389870





