- どんな仕事か
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次世代パワー半導体である窒化ガリウム(GaN)の気相法による結晶成長技術開発をご担当いただきます。中長期的な視点に立ち、特に次世代製品(大口径基板・低欠陥密度基板・低抵抗品基板 等)の新製品開発に重きを置いた、挑戦的かつ自由度の高い開発業務を担っていただきます。
【具体的には】
■新製品の結晶成長技術開発
・大口径・低欠陥密度・低抵抗品など、次世代基板の結晶成長技術を創り上げる開発業務を実施
■既存製品の歩留り改善や、品質安定化
・結晶成長起因の歩留り低下や品質不良に関する不良に対し、原因解析からプロセス改善まで一気通貫で歩留まり向上を図る
【ポジションの魅力】
脱炭素・省エネ社会の実現に向けて世界的に需要が拡大する次世代パワー半導体「GaN(窒化ガリウム)」の心臓部となる高品質GaN基板の”結晶成長技術”の開発を、最前線でリードしていただきます。
【仕事の面白さ・成長機会】
・結晶成長は「材料の根幹」を司る奥深い技術領域です。装置・プロセス・解析・品質まで幅広い知見が身につき、化合物半導体のスペシャリストとして市場価値の高いキャリアを築くことができます。
・基礎検討から量産化まで開発の全工程に関与でき、自らのアイデアを製品として世に送り出す達成感を得ることができます。
・社内の加工・デバイス部門や生産現場とも連携し、技術の上流から下流までを俯瞰できる環境です。 - 求められるスキルは
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必須 化合物半導体の結晶成長技術開発、もしくは結晶成長・薄膜成長に関連する技術開発の経験
- 雇用形態は
- 正社員
- どこで働くか
- 茨城県
- 勤務時間は
- 08:30 - 17:15(コアタイム:00:00 - 00:00)
- 給与はどのくらい貰えるか
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836万円~1399万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与1回 - 待遇・福利厚生は
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当
【待遇・福利厚生】
通勤手当、住宅手当、寮、資格取得、社員持株、退職金制度 - 休日休暇は
- 年間123日/(内訳)完全週休2日制(土日祝)、夏季休暇、年末年始、有給休暇、慶事休暇、産前産後休暇、育児休暇、介護休暇、特別休暇(忌引、結婚等)
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掲載期間26/08/05~26/09/07
求人No.QIQ-491796





