- どんな仕事か
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次世代フラッシュメモリ製品向けの先端CMOS技術開発を推進する意欲的なエンジニアを募集しています。
本ポジションでは、HKMG(High-K Metal Gate)CMOSデバイスおよびプロセスインテグレーション開発をリードし、デバイス性能の向上、信頼性改善、コスト最適化、ならびに将来世代のメモリ技術実現に向けた技術開発を担当していただきます。
【具体的には】
・次世代フラッシュメモリ製品向けの先端HKMG CMOS技術の開発
・CMOSデバイスの性能、消費電力、信頼性の最適化推進
・ゲートスタック、ソース/ドレイン、コンタクト、シリサイド形成などのFEOL(Front-End of Line)プロセスモジュールにおけるプロセスインテグレーション戦略の立案および実行
・デバイス、プロセス、評価解析、シミュレーション、製品開発、TEG開発などの関連部門(国内/海外)との連携
・電気特性、物理解析データ、信頼性評価データを解析し、不具合の根本原因を特定するとともに、改善施策を立案・実施
・次世代に向けた技術ベンチマークおよび技術ロードマップ策定の支援
・技術レビューを主導し、知的財産(特許等)の創出に貢献 - 求められるスキルは
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必須 以下全てのご経験をお持ちの方
・半導体のプロセスインテグレーションまたはデバイス開発に関する実務経験(目安:5年以上)
・CMOSデバイス物理およびHKMG(High-K Metal Gate)技術に関する知識
・トランジスタ特性の最適化、信頼性評価、および歩留まり改善の経験 - 雇用形態は
- 正社員
- どこで働くか
- 三重県
- 勤務時間は
- 08:30 - 17:15(コアタイム:11:00 - 15:00)
- 給与はどのくらい貰えるか
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1000万円~1400万円(経験能力考慮の上優遇)
モデル年収 30歳 828万円
昇給1回、賞与2回 - 待遇・福利厚生は
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金、団体生命保険、長期所得補償保険
【諸手当】
■通勤手当:上限15万円/月(自家用車通勤可。ガソリン代・高速料金支給)
■家賃補助:最長6年 ■引越手当:独身/単身赴任40万、家族帯同 55万 ※いずれも入社に伴い転居が必要な方のみ - 休日休暇は
- 年間130日/(内訳)完全週休2日制(土日祝)、夏季休暇、年末年始、有給休暇、慶事休暇、産前産後休暇、育児休暇、傷病休暇(年5日間)、リフレッシュ休暇
掲載期間26/10/23~26/11/24
求人No.QIQ-501589





