どんな仕事か: ・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー
・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長
・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円～
【業務について】
IGBTデバイス開発・設計、プロセス開発業務・テストライン構築に従事していただきます。
部門間の関係性として、事業部門が製品売上に対する責任と権限をもっており、事業部門からの依頼という形でデバイス開発部門が要求特性を満足するデバイス・プロセスを開発するという形をとります。
実際の業務内容としては、TCADを使ったデバイスシミュレーション、CADを使ったTEGマスク作製業務、滋賀工場でウェハプロセスフローを構築して試作ロットの流動、試作したウェハの電気特性評価、不良品の物理解析など、デバイス開発の前工程部分を一貫してご担当いただく予定です。
ディスクリート製品では、開発の上流から下流までの業務を広く受け持つため、デバイス開発エンジニアとしてのスキルが一通り身に付きます。
守備範囲が広くなるので、ユーティリティな能力が必要と思われるかもしれませんが、解析やシミュレーション、ウェハプロセスの要素技術など、一定の高度なスキルが必要な業務については、保有スキルによって関係部署やメンバーで分業することで効率的に開発を進めています。

【募集背景】
IGBTデバイス開発・設計、プロセス開発に関する業務。パワー半導体市場は競合も多いですが、今後も市場規模は成長していきます。
パワーのロームというブランドを確立するため、確固たるシェアをとるべく、現在の開発案件や次世代の開発を加速させていきます。

【就業環境】
・残業時間：月平均30時間程度
・リモートワーク：可　平均週1回程度
求められるスキルは: 必須【必須】
・MOSFETの構造・動作特性の基本的な理解
・半導体プロセスの基本的な理解

【歓迎】
・基礎的な電気回路の理解
・ウェハプロセス工場での開発業務

【語学力】
・英語の読み書き(メールや文献を読む)レベル
論文や仕様書を英語で読む、海外とのメール
雇用形態は: 正社員(期間の定めなし)
どこで働くか: 下記いずれかの勤務となります。※勤務地希望考慮有り
滋賀県大津市(滋賀工場)　※JR 石山駅より徒歩6分
京都府京都市(京都本社)　※JR 西大路より徒歩15分
宮崎県宮崎市(ラピスセミコンダクタ宮崎宮崎工場) 　※清武駅より、車で5分
勤務時間は: ■京都本社/8:15～17:15(休憩1時間含む) ■本社以外の勤務地/8:30～17:30(休憩1時間含む)
フレックスタイム　　有　　コアタイム　　　無
給与はどのくらい貰えるか: 給与形態：月給制
給与事例：30歳年収700～750万円/35歳年収770～800万円/40歳年収850万円～/管理職1000万円～
※固定手当・残業手当含む
※年収詳細などは面談時にお伝えいたします。
待遇・福利厚生は: 各種社会保険完備、財形貯蓄制度、持株会制度、社長賞(研究開発や営業などの成果を年に一度表彰)、コーポレートカード、社員食堂（本社・新横浜）、提携保養施設(スポーツクラブ、レジャー施設など)、通勤手当（上限40，000円まで当社基準で支給）等
休日休暇は: 完全週休2日制(かつ土日祝日)、有給休暇10日～20日、休日日数128日
その他：年次有給休暇、年末年始休暇、夏期休暇、慶弔休暇、産前産後休暇、育児休暇、介護休暇
どんな選考プロセスか: ◇選考内容
　面接　2回　　筆記試験　有　(GAB)

【京都/滋賀/宮崎】IGBTデバイス・プロセスエンジニア

生産技術・製造技術・エンジニアリング（電気・電子）