- どんな仕事か
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■職務内容
▼SiCパワーデバイス・プロセス開発
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築
・要素プロセス技術(ウエハプロセス、裏面プロセス)、製品設計、品質保証など多部門との連携 - 求められるスキルは
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必須 ■人材要件
MUST
・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上
(半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験)
・期待する行動役割など(求める人物像)
パワーデバイス未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに取り組める方
WANT
・パワーデバイス(IGBT,パワーMOS(Si,SiC)開発経験
Nice to have
・TCADシミュレーションスキル
・TEGレイアウトスキル
・デバイス電気特性評価スキル
・海外との共同プロジェクト経験
・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識
必要な語学
英語 ビジネス会話ができる (TOEIC 700点程度)
日本語 ビジネス会話ができる - 雇用形態は
- 正社員
- どこで働くか
- 群馬県
- 給与はどのくらい貰えるか
- 500~1000万円
NEW
掲載期間24/07/02~24/07/15
求人No.MYN-10288561