- どんな仕事か
-
■SiCパワーデバイス・プロセス開発業務をご担当いただきます。
【具体的には】
■ウェハプロセス開発/インテグレーション
例:構想検討~量産技術確立
■デバイス構造設計/インテグレーション
■他部門との連携
例:設計部、生産技術部、品質保証部など - 求められるスキルは
-
必須 【必須要件】下記いずれも必須
■半導体デバイス構造設計もしくはプロセス開発経験(3年以上)
分野:化合物半導体(GaN、LED用途、高周波用途など)、シリコン半導体(メモリ、CMOSイメージセンサなど)
■ビジネスレベルの英語力
例:顧客とのオンライン会議、メール対応など
【歓迎要件】
■パワーデバイス(IGBT、パワーMOS(Si,SiC)開発経験
■半導体物理、半導体材料物性、半導体要素プロセスに関するご知見・ご経験
■ウェハプロセス試作のご経験
■TCADシミュレーションスキル
■TEGレイアウトスキル
■デバイス電気特性評価スキル
■海外との共同プロジェクト経験
■パワーエレクトロニクス全般の基礎知識 - 雇用形態は
- 正社員
- どんなポジション・役割か
- 担当~課長クラス
- どこで働くか
- 茨城県
- 勤務時間は
- 09:00 - 17:30(コアタイム:00:00 - 00:00)
- 給与はどのくらい貰えるか
-
500万円~1000万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回 - 待遇・福利厚生は
-
【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、家賃補助(賃貸、32歳まで支給対象(条件あり))、時間外勤務手当
【待遇・福利厚生】
財形貯蓄制度、従業員持株会制度、育児支援制度、介護支援制度 - 休日休暇は
- 年間125日/(内訳)完全週休2日制(土日)、年末年始、有給休暇、慶事休暇、GW休暇
NEW
掲載期間24/11/19~24/12/02
求人No.QIQ-345112