- どんな仕事か
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■半導体ウエハプロセス開発者業務として、適正に応じて以下4つの業務いずれかをご担当いただきます。
【具体的には】
・GaN HEMTのウエハプロセス開発
・多層配線(電極材料、層間絶縁膜、平坦化)技術開発
・放熱・実装に関するプロセス開発(基板研削、ビアやチップ分離加工、裏面金属形成等の加工技術)
・受動素子(キャパシタ、インダクタ、抵抗)形成プロセス開発 - 求められるスキルは
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必須 【必須要件】
■TOEIC 550点以上、または同等の英会話能力をお持ちの方で、以下いずれかのご経験をお持ちの方
・各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
・ステッパー、ドライエッチャー、CVDなどを用いたウエハプロセス実務経験者
・高周波増幅器(GHzオーダ)のRF測定スキル・電磁界解析による設計スキル - 雇用形態は
- 正社員
- どこで働くか
- 山梨県
- 勤務時間は
- 08:30 - 17:15(コアタイム:00:00 - 00:00)
- 給与はどのくらい貰えるか
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500万円~1000万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回 - 待遇・福利厚生は
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
家族手当、家賃補助手当、通勤交通費、独身寮、社宅等 - 休日休暇は
- 年間120日/(内訳)完全週休2日制(土日)、年末年始休暇、リフレッシュ休暇、慶弔休暇、積立休暇(最高50日まで有給休暇を積立可能)、5日連続有給休暇、計画有休制度(年5日)、半日有給休暇、時間単位有給休暇、有給休暇:初年度は入社月による(2年目以降20日)
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掲載期間24/11/27~24/12/10
求人No.QIQ-348888