1400万円以上の設計・開発エンジニア(半導体)の転職・求人情報

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条件変更
掲載期間24/11/27~24/12/10
多国籍テクノロジー企業のパワーデバイス設計ポジションです。 SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発を…
・SiC/IGBTパワーデバイスの研究開発を行う。 ・最先端、高性能、高信頼性のパワーデバイスの研究開発をリードする。 ・最…
会社概要
世界170以上の国や地域でビジネスを展開する大手外資系サプライヤーの日本法人。ICTソリューション、ネットワークサービス…
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