メーカーの設計・開発エンジニア(半導体)の転職・求人情報

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条件変更
掲載期間26/07/09~26/07/22
NEW【鹿児島国分】製品開発(MLCC)
設計・開発エンジニア(半導体)
京セラ株式会社
450万円 ~ 1249万円 鹿児島県
【職務内容】 ■お任せする業務内容 コンデンサの小型高容量化、高信頼性化、薄層化に伴う製品開発業務です。 このため、これまでの…
会社概要
【今をつくり、未来をつくる。】 ■あらゆる人やものをつなぐ情報通信市場、ICT化が急速に進む自動車関連市場、地球の環境保全…
興味あり
興味ありしました
掲載期間26/07/09~26/07/22
NEW【山梨】半導体ウェハプロセス開発者(電子デバイス)
設計・開発エンジニア(半導体)
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
450万円 ~ 849万円 山梨県
【仕事内容】 【ポジション概要】 5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの製造に用いる半導体ウェハプロセスの開発を担う…
会社概要
【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発から販売までを一貫して行っています。 【取…
興味あり
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掲載期間26/07/09~26/07/22
NEW【横浜/山梨】光半導体デバイス設計エンジニア
設計・開発エンジニア(半導体)
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
450万円 ~ 849万円 神奈川県
【ポジション概要】 光ファイバ通信用光半導体デバイス(EML、CWレーザ、波長可変レーザ、半導体光アンプ等)の構造設計・評…
会社概要
【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発から販売までを一貫して行っています。 【取…
興味あり
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掲載期間26/07/09~26/07/22
NEW【横浜/山梨】化合物半導体プロセス開発エンジニア
設計・開発エンジニア(半導体)
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
450万円 ~ 849万円 神奈川県
【仕事内容】 【ポジション概要】 化合物半導体光デバイスのプロセス技術開発、特にMOCVDを用いたエピタキシャル結晶成長を中…
会社概要
【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発から販売までを一貫して行っています。 【取…
興味あり
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掲載期間26/07/09~26/07/22
NEW【横浜/山梨】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術(光デバイス)
設計・開発エンジニア(半導体)
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
450万円 ~ 849万円 神奈川県
【仕事内容】 【ポジション概要】 光デバイス製造の最重要工程であるエピタキシャル結晶成長を担う製造技術エンジニアを募集します…
会社概要
【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発から販売までを一貫して行っています。 【取…
興味あり
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掲載期間26/07/09~26/07/22
NEW【横浜/山梨】半導体ウェハプロセスに関する製造技術(光デバイス)
設計・開発エンジニア(半導体)
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
450万円 ~ 849万円 神奈川県
【仕事内容】 【ポジション概要】 光デバイス製造の前工程である半導体ウェハプロセス(フォトリソ、エッチング、成膜等)を担う製…
会社概要
【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発から販売までを一貫して行っています。 【取…
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掲載期間26/07/09~26/07/22
NEW【山梨】半導体レーザの個片化、端面膜加工、素子検査に関する製造技術(光デバイス)
設計・開発エンジニア(半導体)
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
450万円 ~ 849万円 山梨県
【仕事内容】 【ポジション概要】 半導体レーザの後工程を担う製造技術エンジニアを募集します。具体的には、ウェハからチップへの…
会社概要
【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発から販売までを一貫して行っています。 【取…
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掲載期間26/07/09~26/07/22
NEW【横浜】高周波化合物半導体エピ結晶成長技術開発及び量産展開(電子デバイス)
設計・開発エンジニア(半導体)
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
450万円 ~ 849万円 神奈川県
【仕事内容】 【ポジション概要】 5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの性能を左右するエピタキシャル結晶成長の技術開…
会社概要
【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発から販売までを一貫して行っています。 【取…
興味あり
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掲載期間26/07/09~26/07/22
NEW【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア(中核候補)
設計・開発エンジニア(半導体)
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
450万円 ~ 849万円 山梨県
【ポジション概要】 携帯電話基地局向けGaN HEMT(窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)のデバイス技術エンジニアを募…
会社概要
【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発から販売までを一貫して行っています。 【取…
興味あり
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掲載期間26/07/09~26/07/22
NEW【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト(UIターン歓迎)
設計・開発エンジニア(半導体)
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
450万円 ~ 849万円 山梨県
【ポジション概要】 携帯電話基地局向けGaN HEMT(窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)のデバイス技術エンジニアを募…
会社概要
【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発から販売までを一貫して行っています。 【取…
興味あり
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