山梨県の設計・開発エンジニア(半導体)の転職・求人情報

4
条件変更
掲載期間26/07/09~26/07/22
NEW【山梨】半導体ウェハプロセス開発者(電子デバイス)
設計・開発エンジニア(半導体)
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
450万円 ~ 849万円 山梨県
【仕事内容】 【ポジション概要】 5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの製造に用いる半導体ウェハプロセスの開発を担う…
会社概要
【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発から販売までを一貫して行っています。 【取…
興味あり
興味ありしました
掲載期間26/07/09~26/07/22
NEW【山梨】半導体レーザの個片化、端面膜加工、素子検査に関する製造技術(光デバイス)
設計・開発エンジニア(半導体)
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
450万円 ~ 849万円 山梨県
【仕事内容】 【ポジション概要】 半導体レーザの後工程を担う製造技術エンジニアを募集します。具体的には、ウェハからチップへの…
会社概要
【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発から販売までを一貫して行っています。 【取…
興味あり
興味ありしました
掲載期間26/07/09~26/07/22
NEW【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア(中核候補)
設計・開発エンジニア(半導体)
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
450万円 ~ 849万円 山梨県
【ポジション概要】 携帯電話基地局向けGaN HEMT(窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)のデバイス技術エンジニアを募…
会社概要
【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発から販売までを一貫して行っています。 【取…
興味あり
興味ありしました
掲載期間26/07/09~26/07/22
NEW【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト(UIターン歓迎)
設計・開発エンジニア(半導体)
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
450万円 ~ 849万円 山梨県
【ポジション概要】 携帯電話基地局向けGaN HEMT(窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)のデバイス技術エンジニアを募…
会社概要
【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発から販売までを一貫して行っています。 【取…
興味あり
興味ありしました

山梨県の設計・開発エンジニア(半導体)の転職・求人情報の検索結果を表示しています。アンビ(AMBI)では山梨県の設計・開発エンジニア(半導体)のように、業界、勤務地、職種、年収などを掛け合わせてご希望の条件での検索が可能です。

検索条件設定メニュー
0
検索
下限年収を選択
こだわり条件を選択
アンビでは、様々な職種の転職情報を掲載しています。
若手ハイキャリアのスカウト転職ならアンビ
アンビは若手ハイキャリアのためのスカウト転職サービス。年収500万円以上の案件が多数。応募前に合格可能性を判定できる機能や、職務適性がわかるツールなど独自機能が充実。大手からスタートアップ・行政など、ここにしかない募集も。
若手ハイキャリアのスカウト転職